光刻机，不再是唯一解！半导体的下一个风口，将会吹向哪里？

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半导体设备市场的下一个风口，将会吹向哪里？答案或许就藏在刻蚀设备的技术突破里。

“蚀刻技术，将取代光刻成为芯片制造核心。”这句言论，来自于英特尔的一位高管。

这意味着：光刻机，不再是唯一解！

当光刻的“极限” 逐渐显现，刻蚀设备正从芯片制造的 “关键配角”， 走向舞台的中央。

第一，刻蚀设备：半导体设备市场里逆袭的黑马！

“光刻、刻蚀、薄膜沉积”被称为半导体制造的“三驾马车”，这三者在全球晶圆制造中的价值量占比分别为“22%、21%、21%”。

光刻，是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，通过光照和显影实现。因此，光刻机可以理解为就是“投影仪”。

刻蚀，是用化学或物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。因此，刻蚀机可以理解为就是“雕刻刀”。

刻蚀设备在半导体制造中的重要性，正从两个维度清晰显现。

一是刻蚀工艺的复杂性正呈现指数级增长。目前EUV光刻机的波长限制在13.5nm，做出来的线条只能做到14nm。因此， 10nm、7nm、5nm芯片要通过多重模版的方法，把20nm光刻机线条翻版成两个10nm线条，再翻版成5nm的线条，这一过程中，刻蚀设备作用巨大。SEMI数据显示，在芯片制造流程里，从65nm 制程演进至 7nm 制程，光刻步骤数量仅增加了约 30%，但刻蚀步骤数量却激增了超过 300%。如今，刻蚀环节已经不再是光刻之后的辅助工序，而是成为决定芯片性能、良品率及先进制程实现的核心环节。

二是刻蚀设备的应用贯穿半导体制造全流程。在3D NAND 存储芯片制造中，每片晶圆的刻蚀工序占比从 2D NAND 时代的约 25% 提升至如今超过 50%。这清晰表明，随着芯片从平面走向立体堆叠，“雕刻”工序的复杂度和重要性不亚于“投影”工序。同理，先进封装技术也对刻蚀设备提出更高的诉求。比如在 Chiplet集成中，刻蚀设备需同时处理硅、介质与金属多种材料，其选择性刻蚀能力直接决定了不同芯粒间的互联良率。

第二，国产替代：我们已经出现刻蚀设备的佼佼者！

由于刻蚀工艺复杂、技术壁垒高，全球刻蚀设备市场集中度高，国际巨头泛林科技、应用材料和东京电子等，占据市场的主导地位。

对于中国半导体行业而言，光刻机的价值毋庸置疑，刻蚀机的分量同样不可轻估。国产芯片制造领域，FinFET 工艺仍是先进制程的主流选择。受限于部分设备性能，国内先进制程要实现更小尺寸，不得不依赖多重曝光技术。而这一现实，正让刻蚀技术及相关设备的需求与重要性持续攀升。

目前，国内已经有两大半导体设备公司崭露头角，分别是“北方华创”和“中微公司”。

北方华创：是半导体设备领域的平台型企业，其半导体设备品类数量在国内同类型厂商中位居前列，覆盖光胶处理、刻蚀、清洗、热处理、化学气相沉积、物理气相沉积等多个集成电路生产环节。具体的刻蚀设备上，主营“硅刻蚀设备”。

中微公司：属于半导体专业型设备商，其半导体设备仅聚焦刻蚀工艺环节，专攻“介质刻蚀设备”。

两家公司进行对比，从整个半导体设备市场来看，北方华创的关注度更高。但要论刻蚀设备的细分赛道，中微公司的看点相对较多，其在CCP、ICP设备领域均拥有强大的产品实力，部分产品已经进入海外产线，批量应用于5nm及以下先进制程生产线。

此外，半导体刻蚀设备市场，我们还迎来了一位“后起之秀”。2025年7月8日，“屹唐半导体”在科创板敲响上市钟声。

屹唐半导体：前身为美国应用材料公司旗下的半导体湿法设备业务部门，2015年通过国产化收购重组成立。目前，已经形成刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等三大类核心设备产品线。公司已经进入三星、SK海力士国际大厂供应链，客户覆盖中芯国际和国内两大存储芯片龙头。作为国内为数不多可以量产刻蚀设备的厂商，2021年至2023年，市占率始终为全球前十。

第三，需求状态：国产半导体市场需要何种刻蚀设备？

目前，国产半导体对刻蚀设备的需求主要呈现两大特征，即“全链条覆盖” 与“尖端突破”。

从技术维度来说：既需要能覆盖成熟制程全流程的综合型设备能力，例如支持14nm 及以上逻辑芯片、3D NAND 存储芯片制造的 ICP/CCP 刻蚀设备，以满足国内晶圆厂大规模扩产对稳定供应链的需求。亦渴求突破 5nm 及以下先进制程的尖端设备，尤其是在高深宽比刻蚀、原子层刻蚀等关键技术上实现自主可控，从而摆脱对多重曝光工艺的过度依赖，支撑 FinFET 向更先进架构演进。这方面，中微公司已展开布局。

从应用场景来看：成熟制程领域需要高性价比、高稳定性的设备，以适配汽车电子、工业控制等领域的大规模生产；先进封装与Chiplet 集成领域则要求设备支持不同工艺的高精度加工；逻辑芯片前沿制程更依赖刻蚀设备的“选择性刻蚀” 与 “三维结构加工” 能力，以满足 GAAFET、CFET 等新型器件对微观结构的严苛要求，需求呈现明显的分层特征。这方面，北方华创与中微公司均在持续突破。

综合而言，中微公司在介质刻蚀领域的尖端突破、北方华创在全链条设备上的平台优势、屹唐半导体作为后起之秀的快速拓展，共同勾勒出国产刻蚀设备的“梯队成长” 格局。它们的竞争与协作，既在回应成熟制程扩产的规模化需求，也在攻坚 5nm 以下先进制程、原子层刻蚀等技术高地。

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